조선비즈 | 조선비즈K | Tech Chosun | 조선일보
현재보다 1000배 빠른 메모리 등 신제품 개발 경쟁 그래핀 등 신물질 활용한 반도체 원천기술도 연구
  > 2017년05월 200호 > 커버스토리
[이슈 분석 1] 차세대 반도체
현재보다 1000배 빠른 메모리 등 신제품 개발 경쟁 그래핀 등 신물질 활용한 반도체 원천기술도 연구
기사입력 2017.05.15 10:01


인공지능(AI)·차량용 등 차세대 반도체 시장이 열리고 있다. 사진은 독일 차량용 반도체 제조업체 인피니언 테크놀로지의 조립 모습. <사진 : 블룸버그>

10년 전 D램과 낸드플래시 메모리 반도체 기술의 미세공정화 한계는 10나노미터(1㎚=10억분의 1m)급으로 예상됐다. 이를 극복하기 위해 상변화메모리(P램)·저항변화메모리(Re램)·자성메모리(p-STT-M램) 등 차세대 메모리 반도체에 대한 연구·개발(R&D)이 진행됐다.

P램과 Re램은 낸드플래시를 대체하고, p-STT-M램은 D램을 대체할 것으로 예상됐다. 특히 차세대 메모리는 D램과 달리 전원을 꺼도 데이터가 보존되고, 수십 나노세컨드(10억분의 1초)의 고속 동작과 미세화 공정에 용이하다는 장점을 지녔다.

그러나 예상을 깨고 삼성전자와 SK하이닉스는 D램을 10나노미터급까지 미세화 공정을 가능하게 했다. 3차원 낸드플래시 메모리 양산 성공으로 낸드플래시 메모리에서도 10나노미터급까지 미세화 공정이 가능해졌다. 그 결과 삼성전자와 SK하이닉스는 2017년 현재 폭발적으로 성장하고 있는 메모리 반도체 시장에서 큰 이익을 내고 있다.



2016년 3월 이세돌 9단은 구글의 AI 알파고와 바둑 대전을 펼쳤다. 구글의 AI 알파고 안에는 약 1200개의 CPU, 170개의 GPU, 100만개의 D램이 탑재된 것으로 추정된다. <사진 : 조선일보 DB>

AI 알파고, 반도체 100만개 이상 탑재

그러다 보니 P램 등 차세대 메모리 반도체는 기존 D램과 낸드플래시 시장을 대체한다는 개발 목표를 달성하지 못했다. 이런 상황에서 인텔이 나섰다.

올해 초 인텔은 마이크론과 P램 기반의 3차원 크로스포인트 메모리인 솔리드스테이트드라이브(SSD) 옵테인을 개발하며 새로운 메모리 반도체 시장 개척에 나섰다. 3차원 크로스포인트 메모리는 기존 낸드플래시 메모리보다 1000배 빠르고, D램보다 10배 많은 용량을 갖출 수 있다.

삼성전자와 퀄컴은 수십 나노세컨드의 고속 동작과 10피코암페어(1㎀=10조분의 1암페어) 이하의 저전력 소모를 필요로 하는 고..

일부 기사의 전문 보기는 유료 서비스입니다.
로그인 후, 서비스 이용권을 구매하시면 전문보기 서비스를 이용하실 수 있습니다.
이용권 구매
기사: 박재근 한양대 융합전자공학부 교수, 박용선 기자
 
다음글
이전글 ㆍD램·낸드플래시값 40% 급등, 세계시장 450조원 예상 삼성 1분기 매출 46% 증가… 수퍼사이클 2년 계속될 듯


ⓒ 조선경제아이 & economychosun.com 무단 전재 및 재배포 금지
2017.05
[201호]
리더를 위한 고품격 경제주간지 <이코노미조선> 공식 사이트입니다.
뉴스레터 신청하기
자주묻는질문 1:1온라인문의
독자편지 정기구독문의
배송문의 광고문의
고객불만사항

광고문의: 02-724-6037